


SIJK5100E-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIJK5100E-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK®10 x 12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIJK5100E-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,4mohm a 80A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 200 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 11480 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 17W (Ta), 536W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK®10 x 12 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 5.88000 | Fr. 5.88 |
10 | Fr. 3.97800 | Fr. 39.78 |
100 | Fr. 2.99880 | Fr. 299.88 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’500 | Fr. 2.36473 | Fr. 3’547.10 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.88000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.35628 |