Name: SIR1309DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.28639 CHF
Availability: InStock

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SIR1309DP-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR1309DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR1309DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR1309DP-T1-GE3
Descrizione	P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 19,1A (Ta), 65,7A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIR1309DP-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 7,3mohm a 10A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen IV	Carica del gate (Qg) max a Vgs 87 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3250 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19,1A (Ta), 65,7A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.19000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.28639

SIR1309DP-T1-GE3