
SIR1309DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIR1309DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR1309DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR1309DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR1309DP-T1-GE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 19,1A (Ta), 65,7A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR1309DP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7,3mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 87 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3250 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.72000 | Fr. 0.72 |
10 | Fr. 0.67000 | Fr. 6.70 |
100 | Fr. 0.44360 | Fr. 44.36 |
500 | Fr. 0.34604 | Fr. 173.02 |
1’000 | Fr. 0.31464 | Fr. 314.64 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.27475 | Fr. 824.25 |
6’000 | Fr. 0.25467 | Fr. 1’528.02 |
9’000 | Fr. 0.24444 | Fr. 2’199.96 |
15’000 | Fr. 0.23930 | Fr. 3’589.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.72000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.77832 |