Name: SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR186LDP-T1-RE3TR-ND
Price: 1.47016 CHF
Availability: InStock

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SIR186LDP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIR186LDP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR186LDP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR186LDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR186LDP-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 23,8A (Ta), 80,3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIR186LDP-T1-RE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 4,4mohm a 15A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen IV	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1980 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 57W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 23,8A (Ta), 80,3A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8

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In magazzino: 18’796

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.47016

SIR186LDP-T1-RE3