
SIR403EDP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIR403EDP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR403EDP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR403EDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR403EDP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 40 A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR403EDP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,8V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 153 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4620 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 56,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 6,5mohm a 13A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.18000 | Fr. 1.18 |
| 10 | Fr. 0.74300 | Fr. 7.43 |
| 100 | Fr. 0.49300 | Fr. 49.30 |
| 500 | Fr. 0.38558 | Fr. 192.79 |
| 1’000 | Fr. 0.35101 | Fr. 351.01 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.30709 | Fr. 921.27 |
| 6’000 | Fr. 0.28499 | Fr. 1’709.94 |
| 9’000 | Fr. 0.27373 | Fr. 2’463.57 |
| 15’000 | Fr. 0.26108 | Fr. 3’916.20 |
| 21’000 | Fr. 0.25360 | Fr. 5’325.60 |
| 30’000 | Fr. 0.25318 | Fr. 7’595.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.18000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.27558 |




