
SIR418DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIR418DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR418DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR418DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR418DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 40 A (Tc) 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 75 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2410 pF @ 20 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 20A, 10V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.58000 | Fr. 1.58 |
| 10 | Fr. 1.00600 | Fr. 10.06 |
| 100 | Fr. 0.67760 | Fr. 67.76 |
| 500 | Fr. 0.53682 | Fr. 268.41 |
| 1’000 | Fr. 0.49154 | Fr. 491.54 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.43407 | Fr. 1’302.21 |
| 6’000 | Fr. 0.40515 | Fr. 2’430.90 |
| 9’000 | Fr. 0.39042 | Fr. 3’513.78 |
| 15’000 | Fr. 0.37976 | Fr. 5’696.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.70798 |






