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Vishay Siliconix
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Prezzo unitario : Fr. 0.32418
Scheda tecnica
Novità in DigiKey
Canale N 40 V 21,3A (Ta), 78A (Tc) 3,9W (Ta), 41,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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SIR4406DP-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SIR4406DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SIR4406DP-T1-GE3
Descrizione
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 21,3A (Ta), 78A (Tc) 3,9W (Ta), 41,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
4,75mohm a 15A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
2,4V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35.5 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
+20V, -16V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1851 pF @ 20 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3,9W (Ta), 41,6W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SIJ4406DP-T1-GE3Vishay Siliconix0742-SIJ4406DP-T1-GE3TR-NDFr. 0.32418Equivalente parametrico
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
6’000Fr. 0.33591Fr. 2’015.46
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.33591
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.36312