Equivalente parametrico

SIR4406DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIR4406DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIR4406DP-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 21,3A (Ta), 78A (Tc) 3,9W (Ta), 41,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 4,75mohm a 15A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 35.5 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) +20V, -16V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1851 pF @ 20 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3,9W (Ta), 41,6W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIJ4406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIJ4406DP-T1-GE3TR-ND | Fr. 0.32418 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 6’000 | Fr. 0.33591 | Fr. 2’015.46 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.33591 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.36312 |


