
SIR4411DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIR4411DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIR4411DP-T1-GE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 14A (Ta), 48,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR4411DP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 10A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 120 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3970 pF @ 20 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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| 6’000 | Fr. 0.34345 | Fr. 2’060.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.34345 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.37127 |











