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Canale P 40 V 14A (Ta), 48,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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SIR4411DP-T1-GE3

Codice DigiKey
742-SIR4411DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SIR4411DP-T1-GE3
Descrizione
P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 40 V 14A (Ta), 48,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIR4411DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
11mohm a 10A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
120 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3970 pF @ 20 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
Domande e risposte sui prodotti
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
6’000Fr. 0.34345Fr. 2’060.70
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.34345
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.37127