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Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
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Prezzo unitario : Fr. 2.97000
Scheda tecnica
Novità in DigiKey
Canale P 60 V 22,2A (Ta), 90,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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SIR5607DP-T1-UE3

Codice DigiKey
742-SIR5607DP-T1-UE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
SIR5607DP-T1-UE3
Descrizione
P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 22,2A (Ta), 90,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
7mohm a 20A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
2,6V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
112 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5020 pF @ 30 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
6,25W (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SIR5607DP-T1-RE3Vishay Siliconix43’804742-SIR5607DP-T1-RE3CT-NDFr. 2.97000Equivalente parametrico
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
6’000Fr. 1.16727Fr. 7’003.62
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.16727
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.26182