Equivalente parametrico

SIR5607DP-T1-UE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIR5607DP-T1-UE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIR5607DP-T1-UE3 |
Descrizione | P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 60 V 22,2A (Ta), 90,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 20A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,6V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 112 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5020 pF @ 30 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 104W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIR5607DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | 43’804 | 742-SIR5607DP-T1-RE3CT-ND | Fr. 2.97000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 6’000 | Fr. 1.16727 | Fr. 7’003.62 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.16727 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.26182 |











