
SIR5708DP-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIR5708DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR5708DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR5708DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR5708DP-T1-RE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 9,5A (Ta), 33,8A (Tc) 5,2W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR5708DP-T1-RE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 23mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 975 pF @ 75 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5,2W (Ta), 65,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.31000 | Fr. 1.31 |
10 | Fr. 1.04500 | Fr. 10.45 |
100 | Fr. 0.70900 | Fr. 70.90 |
500 | Fr. 0.56368 | Fr. 281.84 |
1’000 | Fr. 0.53244 | Fr. 532.44 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.45766 | Fr. 1’372.98 |
6’000 | Fr. 0.44766 | Fr. 2’685.96 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.31000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.41611 |