
SIR570DP-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIR570DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR570DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR570DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR570DP-T1-RE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 19A (Ta), 77,4A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7,9mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 71 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3740 pF @ 75 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.94000 | Fr. 1.94 |
| 10 | Fr. 1.66000 | Fr. 16.60 |
| 100 | Fr. 1.15250 | Fr. 115.25 |
| 500 | Fr. 0.97614 | Fr. 488.07 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.83104 | Fr. 2’493.12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.94000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.09714 |











