Name: SIR5802DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5802DP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.52954 CHF
Availability: InStock

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SIR5802DP-T1-RE3
Codice DigiKey	742-SIR5802DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR5802DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR5802DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR5802DP-T1-RE3
Descrizione	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 33,6A (Ta), 137,5A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 2,9mohm a 20A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3020 pF @ 40 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33,6A (Ta), 137,5A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7,5V, 10V	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8

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In magazzino: 5’596

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.69364	Fr. 2’080.92
6’000	Fr. 0.65232	Fr. 3’913.92

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.34000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.52954

SIR5802DP-T1-RE3