SIR401DP-T1-GE3
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SIR5808DP-T1-RE3

Codice DigiKey
742-SIR5808DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIR5808DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIR5808DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIR5808DP-T1-RE3
Descrizione
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 18,8A (Ta), 66,8A (Tc) 5,2W (Ta), 65,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIR5808DP-T1-RE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
18,8A (Ta), 66,8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
7,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
157mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1210 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5,2W (Ta), 65,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIR5808
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In magazzino: 11’931
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.37000Fr. 1.37
10Fr. 1.03600Fr. 10.36
100Fr. 0.72950Fr. 72.95
500Fr. 0.64032Fr. 320.16
1’000Fr. 0.62118Fr. 621.18
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.50750Fr. 1’522.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.37000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.48097