
SIR580DP-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIR580DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR580DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR580DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR580DP-T1-RE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 35,8A (Ta), 146A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,7mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 76 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4100 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.78000 | Fr. 1.78 |
10 | Fr. 1.28100 | Fr. 12.81 |
100 | Fr. 0.92690 | Fr. 92.69 |
500 | Fr. 0.74540 | Fr. 372.70 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.61261 | Fr. 1’837.83 |
6’000 | Fr. 0.60900 | Fr. 3’654.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.78000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.92418 |