
SIR606BDP-T1-RE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIR606BDP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR606BDP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR606BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR606BDP-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 10,9 A (Ta), 38,7 A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR606BDP-T1-RE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 17,4mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1470 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 62,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.60000 | Fr. 1.60 |
| 10 | Fr. 1.02100 | Fr. 10.21 |
| 100 | Fr. 0.69780 | Fr. 69.78 |
| 500 | Fr. 0.56938 | Fr. 284.69 |
| 1’000 | Fr. 0.51408 | Fr. 514.08 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.45629 | Fr. 1’368.87 |
| 6’000 | Fr. 0.43199 | Fr. 2’591.94 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.60000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.72960 |











