
SIR606DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIR606DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR606DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR606DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR606DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 37 A (Tc) 44,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR606DP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 16,2mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,6V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22 nC @ 6 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1360 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 44,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.56000 | Fr. 0.56 |
10 | Fr. 0.54000 | Fr. 5.40 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.46354 | Fr. 1’390.62 |
6’000 | Fr. 0.44453 | Fr. 2’667.18 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.56000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.60536 |