
SIR662DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIR662DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR662DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR662DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR662DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 60 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR662DP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 96 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4365 pF @ 30 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 104W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,7mohm a 20A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.28000 | Fr. 2.28 |
| 10 | Fr. 1.47600 | Fr. 14.76 |
| 100 | Fr. 1.01500 | Fr. 101.50 |
| 500 | Fr. 0.81770 | Fr. 408.85 |
| 1’000 | Fr. 0.77233 | Fr. 772.33 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.67379 | Fr. 2’021.37 |
| 6’000 | Fr. 0.63331 | Fr. 3’799.86 |
| 9’000 | Fr. 0.63099 | Fr. 5’678.91 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.28000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.46468 |









