
SIR681DP-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR681DP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR681DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR681DP-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 80 V 17,6A (Ta), 71,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR681DP-T1-RE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 11,2mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,6V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 105 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4850 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 2.63000 | Fr. 2.63 |
10 | Fr. 1.71400 | Fr. 17.14 |
100 | Fr. 1.19040 | Fr. 119.04 |
500 | Fr. 1.01702 | Fr. 508.51 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.83090 | Fr. 2’492.70 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.63000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.84303 |