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SIR770DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SIR770DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIR770DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIR770DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIR770DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 8A 17,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8A
RDSon (max) a Id, Vgs
21mohm a 8A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
21nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
900pF a 15V
Potenza - Max
17,8W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base
SIR770
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.38000Fr. 1.38
10Fr. 0.87800Fr. 8.78
100Fr. 0.58490Fr. 58.49
500Fr. 0.46098Fr. 230.49
1’000Fr. 0.44626Fr. 446.26
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.44766Fr. 1’342.98
6’000Fr. 0.34504Fr. 2’070.24
9’000Fr. 0.34000Fr. 3’060.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.38000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.49178