
SIR870BDP-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIR870BDP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIR870BDP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIR870BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR870BDP-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 18,8A (Ta), 81A (Tc) 5,4W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,1mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 110 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4870 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5,4W (Ta), 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.09000 | Fr. 1.09 |
10 | Fr. 0.96300 | Fr. 9.63 |
100 | Fr. 0.88940 | Fr. 88.94 |
500 | Fr. 0.86964 | Fr. 434.82 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.71050 | Fr. 2’131.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.09000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.17829 |