Name: SIR872DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR872DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.19976 CHF
Availability: InStock

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SIR872DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIR872DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR872DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR872DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIR872DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	42 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 53,7 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 64 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2130 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 53,7 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SIR872
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 20A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.91943	Fr. 2’758.29
6’000	Fr. 0.89916	Fr. 5’394.96

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.96000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.19976

SIR872DP-T1-GE3