
SIR872DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIR872DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR872DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR872DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR872DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 53,7 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 18mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 64 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2130 pF @ 75 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.85000 | Fr. 2.85 |
| 10 | Fr. 1.85800 | Fr. 18.58 |
| 100 | Fr. 1.29680 | Fr. 129.68 |
| 500 | Fr. 1.13024 | Fr. 565.12 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.92340 | Fr. 2’770.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.85000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.08085 |






