
SIR878BDP-T1-RE3 | |
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Codice DigiKey | SIR878BDP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR878BDP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR878BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR878BDP-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 12 A (Ta), 42,5 A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR878BDP-T1-RE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14,4mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 38 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1850 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 62,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.76000 | Fr. 0.76 |
| 10 | Fr. 0.67800 | Fr. 6.78 |
| 100 | Fr. 0.59980 | Fr. 59.98 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.50722 | Fr. 1’521.66 |
| 6’000 | Fr. 0.49000 | Fr. 2’940.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.76000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.82156 |



