SIR401DP-T1-GE3
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SIR882DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SIR882DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIR882DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIR882DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIR882DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 60 A (Tc) 5,4W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIR882DP-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,7mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1930 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5,4W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIR882
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In magazzino: 3’062
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.20000Fr. 2.20
10Fr. 1.68000Fr. 16.80
100Fr. 1.16610Fr. 116.61
500Fr. 0.99144Fr. 495.72
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.82320Fr. 2’469.60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.20000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.37820
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