Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.01614 CHF
Availability: InStock

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SIRA12BDP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIRA12BDP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 27 A (Ta), 60 A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIRA12BDP-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) +20V, -16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1470 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 38W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 27 A (Ta), 60 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SIRA12
RDSon (max) a Id, Vgs 4,3mohm a 10A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
TSM080NB03CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	4’894	1801-TSM080NB03CRRLGCT-ND	Fr. 0.95000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.94000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.01614

SIRA12BDP-T1-GE3