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SIRA12DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIRA12DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIRA12DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIRA12DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA12DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 25 A (Tc) 4,5W (Ta), 31W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIRA12DP-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +20V, -16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2070 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 4,5W (Ta), 31W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,3mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 5’543
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.21000 | Fr. 1.21 |
| 10 | Fr. 0.76100 | Fr. 7.61 |
| 100 | Fr. 0.50560 | Fr. 50.56 |
| 500 | Fr. 0.39590 | Fr. 197.95 |
| 1’000 | Fr. 0.36056 | Fr. 360.56 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.31569 | Fr. 947.07 |
| 6’000 | Fr. 0.29310 | Fr. 1’758.60 |
| 9’000 | Fr. 0.28160 | Fr. 2’534.40 |
| 15’000 | Fr. 0.26868 | Fr. 4’030.20 |
| 21’000 | Fr. 0.26155 | Fr. 5’492.55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.21000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.30801 |
