Name: SIRA14DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA14DP-T1-GE3TR-ND
Price: 0.92966 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIRA14DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIRA14DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIRA14DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIRA14DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIRA14DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 58 A (Tc) 3,6W (Ta), 31,2W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	58 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,1mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1450 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,6W (Ta), 31,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8
Codice componente base	SIRA14

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 2’513

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)