
SIRA18ADP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIRA18ADP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIRA18ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA18ADP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 30,6 A (Tc) 14,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIRA18ADP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 21.5 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) +20V, -16V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF @ 15 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 14,7W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 8,7mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.76000 | Fr. 0.76 |
| 10 | Fr. 0.47600 | Fr. 4.76 |
| 100 | Fr. 0.30930 | Fr. 30.93 |
| 500 | Fr. 0.23748 | Fr. 118.74 |
| 1’000 | Fr. 0.21435 | Fr. 214.35 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.18495 | Fr. 554.85 |
| 6’000 | Fr. 0.17015 | Fr. 1’020.90 |
| 9’000 | Fr. 0.16260 | Fr. 1’463.40 |
| 15’000 | Fr. 0.15413 | Fr. 2’311.95 |
| 21’000 | Fr. 0.14911 | Fr. 3’131.31 |
| 30’000 | Fr. 0.14423 | Fr. 4’326.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.76000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.82156 |



