
SIRA88BDP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIRA88BDP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRA88BDP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRA88BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA88BDP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 19 A (Ta), 40 A (Tc) 3,8W (Ta), 17W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,83mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 19 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 680 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,8W (Ta), 17W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.48000 | Fr. 0.48 |
10 | Fr. 0.29900 | Fr. 2.99 |
100 | Fr. 0.23340 | Fr. 23.34 |
500 | Fr. 0.19608 | Fr. 98.04 |
1’000 | Fr. 0.17652 | Fr. 176.52 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.12893 | Fr. 386.79 |
6’000 | Fr. 0.12485 | Fr. 749.10 |
9’000 | Fr. 0.11914 | Fr. 1’072.26 |
15’000 | Fr. 0.11750 | Fr. 1’762.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.48000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.51888 |