
SIRA20BDP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA20BDP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 25 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
RDSon (max) a Id, Vgs | 0,58mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 186 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 9950 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,3W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.62000 | Fr. 1.62 |
| 10 | Fr. 1.12000 | Fr. 11.20 |
| 100 | Fr. 0.76020 | Fr. 76.02 |
| 500 | Fr. 0.60618 | Fr. 303.09 |
| 1’000 | Fr. 0.58140 | Fr. 581.40 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.49377 | Fr. 1’481.31 |
| 6’000 | Fr. 0.47500 | Fr. 2’850.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.75122 |



