SIRA34DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

SIRA34DP-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Vishay Siliconix

In magazzino: 12’188

Prezzo unitario : Fr. 0.45000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SIRA34DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIRA34DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIRA34DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 40 A (Tc) 3,3W (Ta), 31,25W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,7mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1100 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,3W (Ta), 31,25W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8
Codice componente base	SIRA34