
SIRA54DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIRA54DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRA54DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRA54DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA54DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 60 A (Tc) 36,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 40 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,35mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 48 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5300 pF @ 20 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 36,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.81000 | Fr. 0.81 |
| 10 | Fr. 0.63800 | Fr. 6.38 |
| 100 | Fr. 0.52060 | Fr. 52.06 |
| 500 | Fr. 0.49780 | Fr. 248.90 |
| 1’000 | Fr. 0.45778 | Fr. 457.78 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.39576 | Fr. 1’187.28 |
| 6’000 | Fr. 0.37489 | Fr. 2’249.34 |
| 9’000 | Fr. 0.37400 | Fr. 3’366.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.81000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.87561 |




