
SIRA74DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIRA74DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIRA74DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIRA74DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA74DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 24A (Ta), 81,2A (Tc) 4,1W (Ta), 46,2W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIRA74DP-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +20V, -16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2000 pF @ 20 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 4,1W (Ta), 46,2W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,2mohm a 10A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.38000 | Fr. 1.38 |
| 10 | Fr. 0.87200 | Fr. 8.72 |
| 100 | Fr. 0.58300 | Fr. 58.30 |
| 500 | Fr. 0.45908 | Fr. 229.54 |
| 1’000 | Fr. 0.41921 | Fr. 419.21 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.36857 | Fr. 1’105.71 |
| 6’000 | Fr. 0.34309 | Fr. 2’058.54 |
| 9’000 | Fr. 0.33011 | Fr. 2’970.99 |
| 15’000 | Fr. 0.31554 | Fr. 4’733.10 |
| 21’000 | Fr. 0.31374 | Fr. 6’588.54 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.49178 |










