Name: SIS112LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS112LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.78913 CHF
Availability: InStock

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SIS112LDN-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIS112LDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIS112LDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIS112LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIS112LDN-T1-GE3
Descrizione	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Tempi di consegna standard del produttore	10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 3,5A (Ta), 8,8A (Tc) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIS112LDN-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5A (Ta), 8,8A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	119mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	355 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,2W (Ta), 19,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® 1212-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® 1212-8

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Nastrato in bobina (TR)