
SIS128LDN-T1-GE3 | |
---|---|
Codice DigiKey | SIS128LDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS128LDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS128LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS128LDN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 10,2A (Ta), 33,7A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS128LDN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 15,6mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1250 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,6W (Ta), 39W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 0.98000 | Fr. 0.98 |
10 | Fr. 0.64000 | Fr. 6.40 |
100 | Fr. 0.45810 | Fr. 45.81 |
500 | Fr. 0.35780 | Fr. 178.90 |
1’000 | Fr. 0.32553 | Fr. 325.53 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.28453 | Fr. 853.59 |
6’000 | Fr. 0.26389 | Fr. 1’583.34 |
9’000 | Fr. 0.25338 | Fr. 2’280.42 |
15’000 | Fr. 0.24940 | Fr. 3’741.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.98000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.05938 |