Name: SIS176LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS176LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

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SIS176LDN-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIS176LDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIS176LDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIS176LDN-T1-GE3
Descrizione	N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 70 V 12,9A (Ta), 42,3A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 10,9mohm a 10A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,6V a 250µA
Serie TrenchFET® Gen IV	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±12V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1660 pF @ 35 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,6W (Ta), 39W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 70 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12,9A (Ta), 42,3A (Tc)	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 3,3V, 4,5V	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.40530

SIS176LDN-T1-GE3