
SIS184LDN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIS184LDN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIS184LDN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIS184LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS184LDN-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 18,7A (Ta), 69,4A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,4mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1950 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.54000 | Fr. 1.54 |
10 | Fr. 1.06900 | Fr. 10.69 |
100 | Fr. 0.80700 | Fr. 80.70 |
500 | Fr. 0.65244 | Fr. 326.22 |
1’000 | Fr. 0.63538 | Fr. 635.38 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.54645 | Fr. 1’639.35 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.54000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.66474 |