
SIS407ADN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS407ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS407ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS407ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS407ADN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,8V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 9mohm a 15A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 168 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5875 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.55000 | Fr. 0.55 |
10 | Fr. 0.49000 | Fr. 4.90 |
100 | Fr. 0.34440 | Fr. 34.44 |
500 | Fr. 0.31332 | Fr. 156.66 |
1’000 | Fr. 0.29064 | Fr. 290.64 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.26040 | Fr. 781.20 |
6’000 | Fr. 0.24200 | Fr. 1’452.00 |
9’000 | Fr. 0.23217 | Fr. 2’089.53 |
15’000 | Fr. 0.22550 | Fr. 3’382.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.55000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.59455 |