
SIS412DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS412DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 12 A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS412DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 435 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 7,8A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.79000 | Fr. 0.79 |
| 10 | Fr. 0.49500 | Fr. 4.95 |
| 100 | Fr. 0.32240 | Fr. 32.24 |
| 500 | Fr. 0.24792 | Fr. 123.96 |
| 1’000 | Fr. 0.22394 | Fr. 223.94 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.19346 | Fr. 580.38 |
| 6’000 | Fr. 0.17812 | Fr. 1’068.72 |
| 9’000 | Fr. 0.17030 | Fr. 1’532.70 |
| 15’000 | Fr. 0.16151 | Fr. 2’422.65 |
| 21’000 | Fr. 0.15631 | Fr. 3’282.51 |
| 30’000 | Fr. 0.15126 | Fr. 4’537.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.85399 |









