
SIS435DNT-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS435DNT-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS435DNT-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS435DNT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS435DNT-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 30 A (Tc) 3,7W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS435DNT-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,8V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,4mohm a 13A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 900mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 180 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5700 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 39W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.50000 | Fr. 0.50 |
10 | Fr. 0.43700 | Fr. 4.37 |
100 | Fr. 0.38600 | Fr. 38.60 |
500 | Fr. 0.29948 | Fr. 149.74 |
1’000 | Fr. 0.27160 | Fr. 271.60 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.23619 | Fr. 708.57 |
6’000 | Fr. 0.21836 | Fr. 1’310.16 |
9’000 | Fr. 0.20928 | Fr. 1’883.52 |
15’000 | Fr. 0.20000 | Fr. 3’000.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.50000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.54050 |