
SIS5712DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | 742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIS5712DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIS5712DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS5712DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 150 V 5,6 A (Ta), 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 55,5mohm a 5,6A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 500 pF @ 75 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.57000 | Fr. 1.57 |
| 10 | Fr. 0.99600 | Fr. 9.96 |
| 100 | Fr. 0.66250 | Fr. 66.25 |
| 500 | Fr. 0.52278 | Fr. 261.39 |
| 1’000 | Fr. 0.51535 | Fr. 515.35 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.45080 | Fr. 1’352.40 |
| 6’000 | Fr. 0.38500 | Fr. 2’310.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.57000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.69717 |










