
SIS892ADN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS892ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS892ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS892ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS892ADN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS892ADN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 33mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 19.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 550 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.02000 | Fr. 1.02 |
10 | Fr. 0.71800 | Fr. 7.18 |
100 | Fr. 0.54290 | Fr. 54.29 |
500 | Fr. 0.42696 | Fr. 213.48 |
1’000 | Fr. 0.38966 | Fr. 389.66 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.34229 | Fr. 1’026.87 |
6’000 | Fr. 0.31844 | Fr. 1’910.64 |
9’000 | Fr. 0.31000 | Fr. 2’790.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.02000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.10262 |