SIS176LDN-T1-GE3
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SIS892ADN-T1-GE3

Codice DigiKey
SIS892ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIS892ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIS892ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIS892ADN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore
28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIS892ADN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
33mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
550 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 9’169
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.02000Fr. 1.02
10Fr. 0.71800Fr. 7.18
100Fr. 0.54290Fr. 54.29
500Fr. 0.42696Fr. 213.48
1’000Fr. 0.38966Fr. 389.66
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.34229Fr. 1’026.87
6’000Fr. 0.31844Fr. 1’910.64
9’000Fr. 0.31000Fr. 2’790.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.02000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.10262