
SIS903DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS903DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS903DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 20,1mohm a 5A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 42nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2565pF a 10V | |
Potenza - Max | 2,6W (Ta), 23W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.21000 | Fr. 1.21 |
10 | Fr. 0.76100 | Fr. 7.61 |
100 | Fr. 0.50620 | Fr. 50.62 |
500 | Fr. 0.39700 | Fr. 198.50 |
1’000 | Fr. 0.36185 | Fr. 361.85 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.31721 | Fr. 951.63 |
6’000 | Fr. 0.29474 | Fr. 1’768.44 |
9’000 | Fr. 0.28350 | Fr. 2’551.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.21000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.30801 |