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SIS903DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIS903DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIS903DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 42nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2565pF a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 20,1mohm a 5A, 4,5V |
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In magazzino: 25’527
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.42000 | Fr. 1.42 |
| 10 | Fr. 0.89700 | Fr. 8.97 |
| 100 | Fr. 0.60120 | Fr. 60.12 |
| 500 | Fr. 0.47392 | Fr. 236.96 |
| 1’000 | Fr. 0.43301 | Fr. 433.01 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.38105 | Fr. 1’143.15 |
| 6’000 | Fr. 0.35490 | Fr. 2’129.40 |
| 9’000 | Fr. 0.34158 | Fr. 3’074.22 |
| 15’000 | Fr. 0.32662 | Fr. 4’899.30 |
| 21’000 | Fr. 0.32621 | Fr. 6’850.41 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.42000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.53502 |
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