SIS903DN-T1-GE3
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SIS903DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIS903DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIS903DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
20,1mohm a 5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2565pF a 10V
Potenza - Max
2,6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8 doppio
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 15’507
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.21000Fr. 1.21
10Fr. 0.76100Fr. 7.61
100Fr. 0.50620Fr. 50.62
500Fr. 0.39700Fr. 198.50
1’000Fr. 0.36185Fr. 361.85
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.31721Fr. 951.63
6’000Fr. 0.29474Fr. 1’768.44
9’000Fr. 0.28350Fr. 2’551.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.21000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.30801