
SISA01DN-T1-GE3 | |
---|---|
Codice DigiKey | SISA01DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISA01DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISA01DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISA01DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 22,4 A (Ta), 60 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISA01DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,9mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 84 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3490 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 0.99000 | Fr. 0.99 |
10 | Fr. 0.66500 | Fr. 6.65 |
100 | Fr. 0.43930 | Fr. 43.93 |
500 | Fr. 0.34254 | Fr. 171.27 |
1’000 | Fr. 0.31139 | Fr. 311.39 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.27183 | Fr. 815.49 |
6’000 | Fr. 0.25192 | Fr. 1’511.52 |
9’000 | Fr. 0.24178 | Fr. 2’176.02 |
15’000 | Fr. 0.23630 | Fr. 3’544.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.99000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.07019 |