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SISA12ADN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISA12ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISA12ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISA12ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISA12ADN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 25 A (Tc) 3,5W (Ta), 28W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISA12ADN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +20V, -16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2070 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,5W (Ta), 28W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,3mohm a 10A, 10V |
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In magazzino: 6’899
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.26000 | Fr. 1.26 |
| 10 | Fr. 0.79800 | Fr. 7.98 |
| 100 | Fr. 0.53170 | Fr. 53.17 |
| 500 | Fr. 0.41708 | Fr. 208.54 |
| 1’000 | Fr. 0.38021 | Fr. 380.21 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.33338 | Fr. 1’000.14 |
| 6’000 | Fr. 0.30981 | Fr. 1’858.86 |
| 9’000 | Fr. 0.29780 | Fr. 2’680.20 |
| 15’000 | Fr. 0.28432 | Fr. 4’264.80 |
| 21’000 | Fr. 0.27888 | Fr. 5’856.48 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.26000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.36206 |
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