
SISA18ADN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISA18ADN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISA18ADN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISA18ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISA18ADN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 38,3 A (Tc) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISA18ADN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 21.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +20V, -16V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5mohm a 10A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.99000 | Fr. 0.99 |
| 10 | Fr. 0.62200 | Fr. 6.22 |
| 100 | Fr. 0.40890 | Fr. 40.89 |
| 500 | Fr. 0.31742 | Fr. 158.71 |
| 1’000 | Fr. 0.28797 | Fr. 287.97 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.25055 | Fr. 751.65 |
| 6’000 | Fr. 0.23171 | Fr. 1’390.26 |
| 9’000 | Fr. 0.22211 | Fr. 1’998.99 |
| 15’000 | Fr. 0.21133 | Fr. 3’169.95 |
| 21’000 | Fr. 0.20495 | Fr. 4’303.95 |
| 30’000 | Fr. 0.19896 | Fr. 5’968.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.07019 |










