
SISA26DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISA26DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISA26DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISA26DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISA26DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 60 A (Tc) 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISA26DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 25 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,65mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 44 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +16V, -12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2247 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 39W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.53000 | Fr. 0.53 |
10 | Fr. 0.43600 | Fr. 4.36 |
100 | Fr. 0.31740 | Fr. 31.74 |
500 | Fr. 0.29608 | Fr. 148.04 |
1’000 | Fr. 0.26655 | Fr. 266.55 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.23990 | Fr. 719.70 |
6’000 | Fr. 0.22953 | Fr. 1’377.18 |
9’000 | Fr. 0.21869 | Fr. 1’968.21 |
15’000 | Fr. 0.21200 | Fr. 3’180.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.53000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.57293 |