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SISA26DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISA26DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISA26DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISA26DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISA26DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S |
Tempi di consegna standard del produttore | 55 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 25 V 60 A (Tc) 39W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISA26DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 44 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) +16V, -12V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2247 pF @ 10 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 25 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,65mohm a 15A, 10V |
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In magazzino: 5’444
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.15000 | Fr. 1.15 |
| 10 | Fr. 0.72300 | Fr. 7.23 |
| 100 | Fr. 0.47880 | Fr. 47.88 |
| 500 | Fr. 0.37402 | Fr. 187.01 |
| 1’000 | Fr. 0.34029 | Fr. 340.29 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.29746 | Fr. 892.38 |
| 6’000 | Fr. 0.27590 | Fr. 1’655.40 |
| 9’000 | Fr. 0.26492 | Fr. 2’384.28 |
| 15’000 | Fr. 0.25258 | Fr. 3’788.70 |
| 21’000 | Fr. 0.24528 | Fr. 5’150.88 |
| 30’000 | Fr. 0.24383 | Fr. 7’314.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.15000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.24315 |
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