SISA34DN-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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Vishay Siliconix

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SISA34DN-T1-GE3
Codice DigiKey	SISA34DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SISA34DN-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 40 A (Tc) 20,8W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (max) +20V, -16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1100 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 20,8W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SISA34
RDSon (max) a Id, Vgs 6,7mohm a 10A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SISA18ADN-T1-GE3	Vishay Siliconix	8’970	SISA18ADN-T1-GE3CT-ND	Fr. 0.99000	Simile

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