
SISA35DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SISA35DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SISA35DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SISA35DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISA35DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 10 A (Ta), 16 A (Tc) 3,2W (Ta), 24W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISA35DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,2W (Ta), 24W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 9A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.61000 | Fr. 0.61 |
| 10 | Fr. 0.37700 | Fr. 3.77 |
| 100 | Fr. 0.24290 | Fr. 24.29 |
| 500 | Fr. 0.18488 | Fr. 92.44 |
| 1’000 | Fr. 0.16615 | Fr. 166.15 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.14234 | Fr. 427.02 |
| 6’000 | Fr. 0.13034 | Fr. 782.04 |
| 9’000 | Fr. 0.12423 | Fr. 1’118.07 |
| 15’000 | Fr. 0.11736 | Fr. 1’760.40 |
| 21’000 | Fr. 0.11329 | Fr. 2’379.09 |
| 30’000 | Fr. 0.10934 | Fr. 3’280.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.61000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.65941 |



