
SISF00DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISF00DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SCD doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Drain comune a 2 canali N (duale) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 60 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 53nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2700pF a 15V | |
Potenza - Max | 69,4W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 1212-8SCD doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8SCD doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.62000 | Fr. 1.62 |
| 10 | Fr. 1.03000 | Fr. 10.30 |
| 100 | Fr. 0.69640 | Fr. 69.64 |
| 500 | Fr. 0.55330 | Fr. 276.65 |
| 1’000 | Fr. 0.52057 | Fr. 520.57 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.44885 | Fr. 1’346.55 |
| 6’000 | Fr. 0.42530 | Fr. 2’551.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.75122 |








