PowerPAK 1212-8SCD-Dual
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SISF20DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SISF20DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V 14 A (Ta), 52 A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET® Gen IV
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
14 A (Ta), 52 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
13mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
33nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1290pF a 30V
Potenza - Max
5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8SCD doppio
Codice componente base
SISF20
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.86000Fr. 1.86
10Fr. 1.19000Fr. 11.90
100Fr. 0.81010Fr. 81.01
500Fr. 0.68332Fr. 341.66
1’000Fr. 0.68300Fr. 683.00
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.61289Fr. 1’838.67
6’000Fr. 0.51450Fr. 3’087.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.86000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.01066