
SISH101DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SISH101DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISH101DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISH101DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISH101DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 16,9A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8SH |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISH101DN-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 102 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3595 pF @ 15 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8SH |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 7,2mohm a 15A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.18000 | Fr. 1.18 |
| 10 | Fr. 0.74600 | Fr. 7.46 |
| 100 | Fr. 0.49450 | Fr. 49.45 |
| 500 | Fr. 0.38678 | Fr. 193.39 |
| 1’000 | Fr. 0.35212 | Fr. 352.12 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.30809 | Fr. 924.27 |
| 6’000 | Fr. 0.28593 | Fr. 1’715.58 |
| 9’000 | Fr. 0.27465 | Fr. 2’471.85 |
| 15’000 | Fr. 0.26197 | Fr. 3’929.55 |
| 21’000 | Fr. 0.25446 | Fr. 5’343.66 |
| 30’000 | Fr. 0.25415 | Fr. 7’624.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.18000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.27558 |





